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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXSN35N100U1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | IGBT with Diode - High Short Circuit SOA Capability |
| 中文描述： | 34 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | SOT-227B, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | IXSN35N100U1 |
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
IXYS Corporation. All rights reserved.
IXSN 35N100U1
0
200
400
600
800
1000
0.01
0.1
1
10
100
Fig. 9
Reverse biased safe operating area
T
J
= 125°C
dV/dt < 6 V/ns
R
G
= 22
A
I
C
0
5
10
15
20
25
0.1
1
10
nF
Fig. 8
Typ. capacitances
C
res
C
oes
C
ies
C
0
50
100
150
200
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
characteristics, V
GE
= f(Q
G
)
Fig. 7
Typ. turn-on gate charge
I
G
= 40 mA
I
C
= 1 A
V
CE
= 25 V
-50
0
50
100
150
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
V
GE(th)
I
C
= 10 mA
Fig. 6
Typ. temp. dependence
of norm.
V
GE(th)
norm.
4
6
8
10
12
14
16
0
50
100
150
200
250
3A
350
I
C
Fig. 5
Typ. transfer characteristics
V
CE
= 30 V
T
J
= 25°C
-50
0
50
100
150
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Fig. 4
Typ. temp. dependence of V
CE(sat)
I
C
= 12.5 A
I
C
= 50 A
I
C
= 25 A
norm.
°C
V
CE(sat)
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
Fig. 3
Typ. on-state characteristics
I
C
= 50 A
I
C
= 25 A
I
C
= 12.5 A
V
0
2
4
6
8
0
30
60
90
120
150
A
I
C
V
CE(sat)
T
J
= 25°C
9 V
11 V
13 V
15 V
V
CE
V
0
5
10
15
20
0
50
100
150
200
250
Fig. 2
Typ. output characteristics
Fig. 1
Typ. output characteristics
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
9 V
11 V
13 V
15 V
A
I
C
V
V
CE
V
V
V
T
V
GE
Q
V
V
CE
V
V
V
nC
T
J
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN35N120AU1 | High Voltage IGBT with Diode |
| IXSN50N60BD2 | High Speed IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶Hiper快速恢復(fù)外延型二極管)) |
| IXSN52N60AU1 | IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| IXSN55N120AU1 | High Voltage IGBT with Diode(高電壓帶二極管的絕緣柵雙極晶體管) |
| IXSN55N120 | High Voltage IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXSN35N120AU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSN40N60AU1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N100AU1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N120AU1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N60BD2 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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