參數(shù)資料
型號(hào)： IXSN35N100U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT with Diode - High Short Circuit SOA Capability
中文描述： 34 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： SOT-227B, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： IXSN35N100U1
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
14
mJ
Fig. 13
Typ. turn-off energy per pulse
I
C
= 12.5 A
I
C
= 50 A
I
C
= 25 A
R
Goff
E
off
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
Fig. 12
Typ. turn-on energy per pulse
I
C
= 12.5 A
I
C
= 50 A
I
C
= 25 A
12.5
25
37.5
50
65,5
A
R
Gon
0
I
RM
mJ
E
on
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
Fig. 15
Transient thermal resistance junction to case of IGBT and Diode
t
Diode
IGBT
Z
thJC
K/W
s
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
mJ
Fig. 11
Typ. turn-off energy per pulse
I
C
= 50 A
I
C
= 25 A
I
C
= 12.5 A
°C
E
off
T
J
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
Fig. 10
Typ. turn-on energy per pulse
I
C
= 50 A
I
C
= 25 A
I
C
= 12.5 A
40
50
A
I
RM
20
0
10
mJ
°C
T
J
30
E
on
Single pulse
I
RM
I
RM
I
RM
I
RM
I
RM
I
RM
IXSN 35N100U1
Fig. 14
Forward characteristic of
reverse diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSN35N120AU1 High Voltage IGBT with Diode
IXSN50N60BD2 High Speed IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶Hiper快速恢復(fù)外延型二極管))
IXSN52N60AU1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXSN55N120AU1 High Voltage IGBT with Diode(高電壓帶二極管的絕緣柵雙極晶體管)
IXSN55N120 High Voltage IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSN35N120AU1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSN40N60AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | SOT-227B
IXSN50N100AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B
IXSN50N120AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | SOT-227B
IXSN50N60BD2 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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