參數(shù)資料
型號(hào)： IXSN80N60BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability
中文描述： 160 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： IXSN80N60BD1
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
S ymbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
fs
fs
fs
I
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
= 60 A; V
= 10 V,
46
S
C
C
oe s
C
re s
ie s
8500
650
120
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
Q
Q
335
88
158
nC
nC
nC
g e
g e
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
g c
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
140
220
300
450
10
ns
ns
ns
ns
mJ
600
600
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
140
220
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
8
520
550
13
R
thJ C
R
thC K
0.30 K/W
0.05
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
typ. max.
I
R
T
VJ
= 25°C V
R
= V
RRM
650
uA
T
VJ
= 150°C
I
F
= 60 A
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
2.5
1.75
2.40
mA
V
F
V
V
I
RM
I
F
V
R
= 540 V, T
J
= 100
°
C
= I
C90
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/
μ
s
8.0
A
t
rr
I
F
= 1 A, -di/dt = 50 A/
μ
s, V
R
= 30 V
35
ns
R
thJC
0.85 K/W
Inductive load, T
J
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100
μ
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
= 25
°
C
miniBLOC, SOT-227 B
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
B
31.50
7.80
31.88
8.20
1.240
0.307
1.255
0.323
C
D
4.09
4.09
4.29
4.29
0.161
0.161
0.169
0.169
E
F
4.09
14.91
4.29
15.11
0.161
0.587
0.169
0.595
G
H
30.12
38.00
30.30
38.23
1.186
1.496
1.193
1.505
J
K
11.68
8.92
12.22
9.60
0.460
0.351
0.481
0.378
L
M
0.76
12.60
0.84
12.85
0.030
0.496
0.033
0.506
N
O
25.15
1.98
25.42
2.13
0.990
0.078
1.001
0.084
P
Q
4.95
26.54
5.97
26.90
0.195
1.045
0.235
1.059
R
S
3.94
4.72
4.42
4.85
0.155
0.186
0.174
0.191
T
U
24.59
-0.05
25.07
0.1
0.968
-0.002
0.987
0.004
Inductive load, T
J
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100
μ
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
= 125
°
C
IXS N 80N60BD1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSP16N60 Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSA16N60 Low VCE(sat) IGBT(VCE(sat)典型值為1.8V的絕緣柵雙極晶體管)
IXSR35N120BD1 IGBT with Diode(VCES為1200V，VCE(sat)為3.6V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXSR40N60CD1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管))
IXSX35N120AU1 High Voltage IGBT with Diode(VCES為1200V，VCE(sat)為4V的高電壓絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSP10N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP16N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSP20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP24N60B 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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