參數(shù)資料
型號： IXTA3N60P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： R8C; R8C/2x Series; Microcontroller; Bit Size: 32/16-bit CISC; ROM: 96K; RAM: 5K; ROM Type: Flash memory; CPU: R8C core; Minimum Instruction Execution Time (ns): 50 (@20MHz); Operating Frequency / Supply Voltage: 20MHz/3.0 to 5.5V, 10MHz/2.7 to 5.5V; Operating Ambient Temperature (°C): -40 to 85; Package Code: PLQP0048KB-A (48P6Q-A)
中文描述： 3 A, 600 V, 2.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： IXTA3N60P
2006 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
3
6
9
12
V
D S
- Volts
15
18
21
24
27
30
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
6V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5V
6V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
6V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.4
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 3A
I
D
= 1.5A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
3.3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
0
1
2
3
4
5
6
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
V
GS
= 10V
IXTA 3N60P IXTP 3N60P
IXTY 3N60P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTA50N20P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTP50N20P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ50N20P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTA62N15P PolarHT Power MOSFET
IXTP62N15P PolarHT Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTA42N25P 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA44N15T 功能描述:MOSFET 44 Amps 150V 45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA44N25T 功能描述:MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA44N30T 功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA44P15T 功能描述:MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*