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參數(shù)資料
| 型號： | K4C89093AF-GCFB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 150uF; Voltage: 250V; Case Size: 18x31.5 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 288Mb x18網(wǎng)絡(luò)DRAM2規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 27/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1470K |
| 代理商： | K4C89093AF-GCFB |
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K4C89183AF
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REV. 0.7 Jan. 2005
Single Bank Read Timing (CL=6)
Command
Address
RDA
DESL
LAL
#0
Unidirectional DS/QS mode
Bank Add.
Unidirectional DS/Free Running QS mode
Q0 Q1 Q2 Q3
Q0 Q1 Q2
l
RC
=7cycles
Low
Hi-Z
UA
LA
l
RAS
=6cycles
l
RCD
=1cycle
CL=6
CL=6
RDA
DESL
LAL
l
RC
=7cycles
RDA
LAL
UA
LA
l
RAS
=6cycles
l
RCD
=1cycle
UA
LA
#0
#0
Q0 Q1 Q2 Q3
Q0 Q1 Q2
Hi-Z
CL=6
CL=6
l
RCD
=1cycle
CLK
CLK
(Output)
QS
(Output)
DQ
(Input)
DS
(Output)
QS
(Output)
DQ
(Input)
DS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C89093AF-GIFB | Thyristor / Diode Module; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:2200V; Current, It av:430A; Gate Trigger Voltage Max, Vgt:3V; Gate Trigger Current Max, Igt:200mA; Package/Case:LD43; di/dt:200A/ s RoHS Compliant: Yes |
| K4C89163AF-GCF5 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-GCF6 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-GCFB | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-GIF5 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4C89093AF-GIF5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89093AF-GIF6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89093AF-GIFB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-ACF5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-ACF6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
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