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參數(shù)資料
| 型號： | K4C89093AF-GCFB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 150uF; Voltage: 250V; Case Size: 18x31.5 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 288Mb x18網(wǎng)絡(luò)DRAM2規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 37/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1470K |
| 代理商： | K4C89093AF-GCFB |
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K4C89183AF
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1
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13
14
15
REV. 0.7 Jan. 2005
Multiple Bank Write Timing (CL=4)
Unidirectional DS/QS mode
Unidirectional DS/Free Running QS mode
Command
Address
WRA
LAL
LA
UA
Bank
"a"
Bank Add.
WRA
LAL
DESL
WRA
LAL
WRA
LAL
WRA
LAL
WRA
LAL
WRA
LAL
WRA
LA
UA
LA
UA
LA
UA
LA
UA
LA
UA
LA
UA
UA
Bank
"b"
Bank
"a"
Bank
"b"
Bank
"c"
Bank
"d"
Bank
"a"
Bank
"b"
l
RBD
=2cycles
Da0 Da1
Low
(Output)
QS
DQ
(input)
DS
Db0 Db1
Da0 Da1
Db0 Db1
Dc0 Dc1
(Input)
Da2 Da3
Db2 Db3
Da2 Da3
Db2 Db3
Dc2
(Output)
QS
DQ
(input)
DS
(Input)
l
RBD
=2cycles
l
RBD
=2cycles
l
RBD
=2cycles
l
RBD
=2cycles
l
RC
(Bank"a")=5cycles
l
RC
(Bank"b")=5cycles
Dc3 Dd0 Dd1
WL=3
WL=3
Da0 Da1
Db0 Db1
Da0 Da1
Db0 Db1
Dc0 Dc1
Da2 Da3
Db2 Db3
Da2 Da3
Db2 Db3
Dc2 Dc3 Dd0 Dd1
WL=3
WL=3
CLK
CLK
Note : l
RC
to the same bank must be satisfied
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C89093AF-GIFB | Thyristor / Diode Module; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:2200V; Current, It av:430A; Gate Trigger Voltage Max, Vgt:3V; Gate Trigger Current Max, Igt:200mA; Package/Case:LD43; di/dt:200A/ s RoHS Compliant: Yes |
| K4C89163AF-GCF5 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-GCF6 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-GCFB | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-GIF5 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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