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參數(shù)資料
| 型號： | K4C89093AF-GCFB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 150uF; Voltage: 250V; Case Size: 18x31.5 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 288Mb x18網(wǎng)絡(luò)DRAM2規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 5/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1470K |
| 代理商： | K4C89093AF-GCFB |
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K4C89183AF
- 5 -
REV. 0.7 Jan. 2005
Pin Names
Pin
Name
A0 ~ A14
Address Input
BA0, BA1
Bank Address
DQ0 ~ DQ17
Data Input/Output
CS
Chip Select
FN
Function Control
PD
Power Down Control
CLK, CLK
Clock Input
DS/QS
Write/Read data strobe
VDD
Power (+2.5V)
V
SS
Ground
V
DDQ
Power (+1.8V)
(for I/O buffer)
V
SSQ
Ground
(for I/O buffer)
V
REF
Reference Voltage
NC
No Connection
ball pitch=1.0 x 1.0mm
PIN ASSIGNMENT
(TOP VIEW)
x18
Index
V
ss
DQ16
DQ15
DQ14
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
V
REF
CLK
A12
A11
A8
A5
V
SS
DQ17
V
ss
Q
V
DD
Q
DQ13
V
ss
Q
V
DD
Q
V
ss
Q
DS
V
ss
CLK
PD
A9
A7
A6
A4
DQ0
V
DD
Q
V
ss
Q
DQ4
V
DD
Q
V
ss
Q
V
DD
Q
QS
V
DD
FN
CS
BA1
A0
A2
A3
V
DD
DQ1
DQ2
DQ3
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
A14
A13
NC
BA0
A10
A1
V
DD
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C89093AF-GIFB | Thyristor / Diode Module; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:2200V; Current, It av:430A; Gate Trigger Voltage Max, Vgt:3V; Gate Trigger Current Max, Igt:200mA; Package/Case:LD43; di/dt:200A/ s RoHS Compliant: Yes |
| K4C89163AF-GCF5 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-GCF6 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-GCFB | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-GIF5 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4C89093AF-GIF5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89093AF-GIF6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89093AF-GIFB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-ACF5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-ACF6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
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