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參數(shù)資料
| 型號： | K4C89093AF-GIF5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 250V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 288Mb x18網(wǎng)絡(luò)DRAM2規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 42/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1470K |
| 代理商： | K4C89093AF-GIF5 |
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K4C89183AF
- 42 -
REV. 0.7 Jan. 2005
Write with Variable Write Length (VW) Control(CL=4)
Command
WRA
LAL
DESL
WRA
LAL
BL=2, SEQUENTIAL MODE
DESL
Address
UA
LA=#3
UA
VW=1
Bank Add.
Bank
"a"
Bank
"a"
(Input)
DQ
(Input)
DS
D0 D1
D0
Lower Address #3 #2
#1 (#0)
Last one data is masked.
Command
WRA
LAL
DESL
WRA
LAL
BL=4, SEQUENTIAL MODE
DESL
Address
UA
LA=#3
UA
VW=1
Bank Add.
Bank
"a"
(Input)
DQ
(Input)
DS
D0 D1
D0
Lower Address #3 #0 #1 #2
#1 (#2) (#3) (#0)
Last three data are masked.
Bank
"a"
DESL
WRA
LAL
UA
LA=#2
Bank
"a"
D2 D3
D0 D1
#2 #3 (#0) (#1)
Last two data are masked.
Note : DS input must be continued till end of burst count even if some of laster data is masked.
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
1
12
13
14
15
CLK
CLK
VW0 = Low
VW1 = don’t care
VW0 = High
VW1 = don’t care
VW0 = High
VW1 = Low
VW0 = High
VW1 = High
VW0 = Low
VW1 = High
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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