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參數(shù)資料
| 型號： | K4C89093AF-GIF5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 250V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 288Mb x18網(wǎng)絡DRAM2規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 46/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1470K |
| 代理商： | K4C89093AF-GIF5 |
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K4C89183AF
- 46 -
REV. 0.7 Jan. 2005
Extended Mode Register Set Timing (CL=4, BL=4)
From Write operation to Extended Mode Register Set operation
Command
A14~A0
WRA
DESL
LAL
LA
UA
BA
BA0, BA1
RDA
DESL
MRS
l
RC
=7cycles
LAL
LA
UA
BA1="0"
BA
or
WRA
BA0="0"
(oValid
When DQ strobe mode is changed by EMRS, QS output is invalid for I
RSC
period.
DLL switch in Extended Mode Register must be set to enable mode for normal operation.
DLL lock-on time is needed after initial EMRS operation. See Power Up Sequence.
Minimum delay from LAL following WRA to RDA of EMRS operation is WL+BL/2.
Note :
Unidirectional DS/Free Running QS mode
(Output)
QS
DC
DQ
(input)
DS
(input)
(Output)
QS
DQ
(input)
DS
Low
D0 D1 D2 D3
D0 D1 D2 D3
Unidirectional DS/QS mode
(input)
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
1
12
13
14
15
CLK
CLK
WL + BL/2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C89093AF-GIF6 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-ACF5 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-ACF6 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-ACFB | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-AIF5 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4C89093AF-GIF6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89093AF-GIFB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-ACF5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-ACF6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-ACFB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
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