參數(shù)資料
型號(hào)： K4C89093AF-GIF5
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 250V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 288Mb x18網(wǎng)絡(luò)DRAM2規(guī)范
文件頁(yè)數(shù)： 44/55頁(yè)
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代理商： K4C89093AF-GIF5
K4C89183AF
- 44 -
REV. 0.7 Jan. 2005
Power Down Timing (CL=4, BL=4)
Write cycle to Power Down Mode
Command
WRA
LAL
Address
UA
DESL
LA
Unidirectional DS/Free Running QS mode
Unidirectional DS/QS mode
PD
t
IH
t
PDEX
t
IS
I
PD
=2 cycle
I
RC(min),
t
REFI(max)
～
Low
(Output)
QS
DC
(input)
DS
(Output)
WL=3
(Output)
QS
DC
(input)
DS
(Output)
D0 D1 D2 D3
WL=3
I
PD
=2 cycle
D0 D1 D2 D3
WL=3
PD must be kept "High" level until end of Burst data output.
PD should be brought to "High" within t
REFI
(max.) to maintain the data written into cell.
In Power Down Mode, PD "Low" and a stable clock signal must be maintained.
When PD is brought to "High", a valid executable command may be applied I
PDA
cycles later.
Note :
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
n-1
1
n
n+1
n+2
n+3
I
PDA
～
～
～
～
～
～
～
～
～
CLK
CLK
or
WRA
UA
DESL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4C89093AF-GIF6 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
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K4C89083AF-ACFB 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
K4C89083AF-AIF5 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
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參數(shù)描述
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