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參數(shù)資料
| 型號： | K4C89183AF |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| 中文描述： | 288Mb x18網(wǎng)絡(luò)DRAM2規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 38/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1470K |
| 代理商： | K4C89183AF |
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K4C89183AF
0
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9
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11
1
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13
14
15
REV. 0.7 Jan. 2005
Multiple Bank Write Timing (CL=5)
Unidirectional DS/QS mode
Unidirectional DS/Free Running QS mode
Command
Address
Bank Add.
Da0 Da1
Low
(Output)
QS
DQ
(input)
DS
Db0 Db1
Da0 Da1
Db0 Db1
Dc0 Dc1
(input)
Da2 Da3
Db2 Db3
Da2 Da3
Db2 Db3
(Output)
QS
DQ
(input)
DS
(input)
WRA
LAL
LA
UA
Bank
"a"
WRA
LAL
DESL
WRA
LAL
WRA
LAL
WRA
LAL
WRA
LAL
WRA
LAL
LA
UA
LA
UA
LA
UA
LA
UA
LA
UA
LA
UA
Bank
"b"
Bank
"a"
Bank
"b"
Bank
"c"
Bank
"d"
Bank
"a"
l
RBD
=2cycles
l
RBD
=2cycles
l
RBD
=2cycles
l
RBD
=2cycles
l
RBD
=2cycles
l
RC
(Bank"a")=6cycles
l
RC
(Bank"b")=6cycles
WL=4
WL=4
Da0 Da1
Db0 Db1
Da0 Da1
Db0 Db1
Dc0 Dc1
Da2 Da3
Db2 Db3
Da2 Da3
Db2 Db3
WL=4
WL=4
Note :I
RC
to the same bank must be satisfied.
CLK
CLK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C89183AF-GCF5 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89183AF-GCF6 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89093AF-GIF5 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 250V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk |
| K4C89093AF-GIF6 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-ACF5 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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