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參數(shù)資料
| 型號： | K4C89183AF |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| 中文描述： | 288Mb x18網(wǎng)絡(luò)DRAM2規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 43/55頁 |
| 文件大小： | 1470K |
| 代理商： | K4C89183AF |
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K4C89183AF
- 43 -
REV. 0.7 Jan. 2005
Power Down Timing (CL=4, BL=4)
Read cycle to Power Down Mode
Command
RDA
LAL
or
WRA
BL=2, SEQUENTIAL MODE
Address
UA
UA
DESL
LA
Unidirectional DS/Free Running QS mode
Unidirectional DS/QS mode
PD
t
IH
t
QPDH
t
PDEX
t
IS
I
PD
=2 cycle
I
RC(min),
t
REFI(max)
～
Q0 Q1
Low
Hi-Z
(Output)
QS
DQ
(input)
DS
(Output)
CL=4
Q2 Q3
Q0 Q1
Hi-Z
(Output)
QS
DC
(input)
DS
(Output)
CL=4
Q2 Q3
Hi-Z
Hi-Z
PD must be kept "High" level until end of Burst data output.
PD should be brought to "High" within t
REFI
(max.) to maintain the data written into cell.
In Power Down Mode, PD "Low" and a stable clock signal must be maintained.
When PD is brought to "High", a valid executable command may be applied I
PDA
cycles later.
Note :
Power Down Entry
Power Down Exit
～
～
～
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
n-1
1
n
n+1
n+2
n+3
～
～
～
～
～
CLK
CLK
DESL
I
PDA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C89183AF-GCF5 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89183AF-GCF6 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89093AF-GIF5 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 250V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk |
| K4C89093AF-GIF6 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-ACF5 | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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