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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4R271669F |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mbit RDRAM(F-die) |
| 中文描述： | 128Mbit的RDRAM（架F -模） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 292K |
| 代理商： | K4R271669F |
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Page 2
Direct RDRAM
K4R271669F
Version 1.41 Jan. 2004
Pinouts and Definitions
The following table shows the pin assignments of the center-
bonded RDRAM package.
Table 1: Center-Bonded CSP Device (Top View)
7
DQA7
DQA4
CFM
CFMN
RQ5
RQ3
DQB0
DQB4
DQB7
6
GND
DQA5
DQA2
VDDA
RQ6
RQ2
DQB1
DQB5
GND
5
CMD
VDD
GND
GNDA
VDD
GND
VDD
VDD
SIO0
4
3
SCK
GND
VDD
GND
GND
VDD
GND
GND
SIO1
2
VCMOS
DQA6
DQA1
VREF
RQ7
RQ1
DQB2
DQB6
VCMOS
1
NC
DQA3
DQA0
CTMN
CTM
RQ4
RQ0
DQB3
NC
Top View
A
B
C
D
E
F
G
H
J
Chip
Top View
b. Top marking example
For consumer package, pin #1(ROW 1, COL A) is
located at the A1 position on the top side and the A1
position is marked by the marker
“
“
.
K4R271669F
SEC 240
x
CS8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S160822D | 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S161622D | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622E | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC10 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC55 | 1M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4R271669F-RCS8000 | 制造商:Samsung 功能描述:128 DIRECT RDRAM X16 WBGA - Trays |
| K4R271669F-TCS8000 | 制造商:Samsung 功能描述:128 DIRECT RDRAM X16 WBGA - Trays |
| K4R271669H-DCS8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:128MRDRAMDIRECT RDRAMX16FBGA - Bulk |
| K4R271669H-DCS8T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:128MRDRAMDIRECT RDRAMX16FBGA - Tape and Reel |
| K4R441869A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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