參數(shù)資料
型號： K4T1G164QD
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1Gb D-die DDR2 SDRAM Specification
中文描述： 1Gb的?芯片DDR2內(nèi)存規(guī)格
文件頁數(shù)： 24/27頁
文件大小： 589K
代理商： K4T1G164QD
K4T1G084QD
K4T1G164QD
Rev. 1.0 March 2007
DDR2 SDRAM
22 of 29
For all input signals the total tDS (setup time) and tDH (hold time) required is calculated by adding the data sheet tDS(base) and tDH(base) value to the
tDS and
tDH derating value respectively. Example: tDS (total setup time) = tDS(base) +
tDS.
tDS1,
tDH1 Derating Values for DDR2-400, DDR2-533(All units in ‘ps’; the note applies to the entire table)
DQS Single-ended Slew Rate
2.0 V/ns
1.5 V/ns
1.0 V/ns
0.9 V/ns
0.8 V/ns
0.7 V/ns
0.6 V/ns
0.5 V/ns
0.4 V/ns
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
tDS
1
tDH
1
DQ
Slew
rate
V/ns
2.0
188
188
167
146
125
63
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
146
167
125
125
83
42
81
43
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
63
125
42
83
0
0
-2
1
-7
-13
-
-
-
-
-
-
-
-
0.9
-
-
31
69
-11
-14
-13
-13
-18
-27
-29
-45
-
-
-
-
-
-
0.8
-
-
-
-
-25
-31
-27
-30
-32
-44
-43
-62
-60
-86
-
-
-
-
0.7
-
-
-
-
-
-
-45
-53
-50
-67
-61
-85
-78
-109
-108
-152
-
-
0.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-74
-96
-85
-114
-102
-138
-138
-181
-183
-246
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-128
-156
-145
-180
-175
-223
-226
-288
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-210
-243
-240
-286
-291
-351
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PDF描述
K4T1G084QQ-HC(L)F7 1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G044QQ 1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification
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參數(shù)描述
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K4T1G164QE-HCLE6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM
K4T1G164QE-HCLE7 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb E-die DDR2 SDRAM
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