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參數(shù)資料
| 型號： | K7A323600M-QC25 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM |
| 中文描述： | 1Mx36 |
| 文件頁數(shù)： | 2/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 247K |
| 代理商： | K7A323600M-QC25 |
1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM
- 2 -
Rev 2.0
Nov. 2003
K7A321800M
K7A323600M
32Mb SB/SPB Synchronous SRAM Ordering Information
Org.
Part Number
Mode
VDD
Speed
SB ; Access Time(ns)
SPB ; Cycle Time(MHz)
PKG
Temp
2Mx18
K7B321825M-QC65/75
SB
3.3
6.5/7.5ns
Q: 100TQFP
C
; Commercial
Temp.Range
I
; Industrial
Temp.Range
K7A321800M-QC(I)25/20/14
SPB(2E1D)
3.3
250/200/138MHz
1Mx36
K7B323625M-Q)C65/75
SB
3.3
6.5/7.5ns
K7A323600M-QC(I)25/20/14
SPB(2E1D)
3.3
250/200/138MHz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7B321825M-QC65 | 1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM |
| K7B321825M-QC75 | 1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM |
| K7B801825B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM |
| K7B803625B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM |
| K7I161882B-FC16 | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit DDRII CIO b2 SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7A323630C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 and 2Mx18 Synchronous SRAM |
| K7A323630C-PC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 and 2Mx18 Synchronous SRAM |
| K7A323630C-PI20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 and 2Mx18 Synchronous SRAM |
| K7A323630C-QC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 and 2Mx18 Synchronous SRAM |
| K7A323630C-QI20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 and 2Mx18 Synchronous SRAM |
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