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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K7A323600M-QC25 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM |
| 中文描述： | 1Mx36 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 247K |
| 代理商： | K7A323600M-QC25 |
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1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM
- 4 -
Rev 2.0
Nov. 2003
K7A321800M
K7A323600M
PIN CONFIGURATION
(TOP VIEW)
PIN NAME
Note :
1. A0 and A1 are the two least significant bits(LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
SYMBOL
PIN NAME
TQFP PIN NO.
SYMBOL
PIN NAME
TQFP PIN NO.
A
0
- A
19
ADV
ADSP
ADSC
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
WEx(x=a,b,c,d)
OE
GW
BW
ZZ
LBO
Address Inputs
Burst Address Advance
Address Status Processor
Address Status Controller
Clock
Chip Select
Chip Select
Chip Select
Byte Write Inputs
Output Enable
Global Write Enable
Byte Write Enable
Power Down Input
Burst Mode Control
32,33,34,35,36,37,39
42,43,44,45,46,47,48,
49,50,81,82,99,100
83
84
85
89
98
97
92
93,94,95,96
86
88
87
64
31
V
DD
V
SS
N.C.
DQa
0
~a
7
DQb
0
~b
7
DQc
0
~c
7
DQd
0
~d
7
DQPa~P
d
V
DDQ
V
SSQ
Power Supply(+3.3V)
Ground
No Connect
Data Inputs/Outputs
Output Power Supply
(3.3V or 2.5V)
Output Ground
15,41,65,91
17,40,67,90
14,16,38,66
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100 Pin TQFP
(20mm x 14mm)
DQPc
DQc
0
DQc
1
V
DDQ
V
SSQ
DQc
2
DQc
3
DQc
4
DQc
5
V
SSQ
V
DDQ
DQc
6
DQc
7
N.C.
V
DD
N.C.
V
SS
DQd
0
DQd
1
V
DDQ
V
SSQ
DQd
2
DQd
3
DQd
4
DQd
5
V
SSQ
V
DDQ
DQd
6
DQd
7
DQPd
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb
DQb
7
DQb
6
V
DDQ
V
SSQ
DQb
5
DQb
4
DQb
3
DQb
2
V
SSQ
V
DDQ
DQb
1
DQb
0
V
SS
N.C.
V
DD
ZZ
DQa
7
DQa
6
V
DDQ
V
SSQ
DQa
5
DQa
4
DQa
3
DQa
2
V
SSQ
V
DDQ
DQa
1
DQa
0
DQPa
1
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9
8
8
8
8
8
8
8
8
A
6
A
7
C
1
C
2
W
W
W
W
C
2
V
D
V
S
C
G
B
O
A
A
A
A
8
8
A
9
5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
3
3
3
3
3
3
3
3
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
V
D
V
S
A
1
N
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
3
L
A
1
K7A323600M(1Mx36)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7B321825M-QC65 | 1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM |
| K7B321825M-QC75 | 1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM |
| K7B801825B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM |
| K7B803625B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM |
| K7I161882B-FC16 | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit DDRII CIO b2 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7A323630C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 and 2Mx18 Synchronous SRAM |
| K7A323630C-PC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 and 2Mx18 Synchronous SRAM |
| K7A323630C-PI20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 and 2Mx18 Synchronous SRAM |
| K7A323630C-QC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 and 2Mx18 Synchronous SRAM |
| K7A323630C-QI20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Mx36 and 2Mx18 Synchronous SRAM |
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