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參數(shù)資料
| 型號： | K8D6316UBM-YI07 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 6400位（800萬x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 40/48頁 |
| 文件大小： | 767K |
| 代理商： | K8D6316UBM-YI07 |
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NOR FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.6
September, 2006
40
SWITCHING WAVEFORMS
Chip/Block Erase Operations
Parameter
Symbol
-7
-8
-9
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Write Cycle Time
t
WC
70
-
80
-
90
-
ns
Address Setup Time
t
AS
0
-
0
-
0
-
ns
Address Hold Time
t
AH
45
-
45
-
45
-
ns
Data Setup Time
t
DS
35
-
35
-
45
-
ns
Data Hold Time
t
DH
0
-
0
-
0
-
ns
OE Setup Time
t
OES
0
-
0
-
0
-
ns
CE Setup Time
t
CS
0
-
0
-
0
-
ns
Write Pulse Width
t
WP
35
-
35
-
45
-
ns
Write Pulse Width High
t
WPH
25
-
25
-
30
-
ns
Read Cycle Time
t
RC
70
-
80
-
90
-
ns
V
CC
Set Up Time
t
VCS
50
-
50
-
50
-
μ
s
OE
Address
t
CS
CE
DATA
WE
t
AH
t
AS
t
RC
t
DS
t
DH
80H
AAH
AAH
55H
30H
10H for Chip Erase
555H
2AAH
555H
555H
2AAH
BA
555H for Chip Erase
t
WPH
t
WP
t
OES
55H
RY/BY
t
WC
t
VCS
Vcc
Note :
BA : Block Address
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8D6316UBM-YI08 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YI09 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-FI09 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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| K9E2G08U0M-V | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8D6316UBM-YI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YI09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DC07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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| K8D6316UTM-DC09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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