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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K8D6316UBM-YI07 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 6400位（800萬x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 44/48頁 |
| 文件大小： | 767K |
| 代理商： | K8D6316UBM-YI07 |
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NOR FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.6
September, 2006
44
RESET Timing Diagram
SWITCHING WAVEFORMS
Parameter
Symbol
-7
-8
-9
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
RESET Pulse Width
t
RP
500
-
500
-
500
-
ns
RESET Low to Valid Data
(During Internal Routine)
t
READY
-
20
-
20
-
20
μ
s
RESET Low to Valid Data
(Not during Internal Routine)
t
READY
-
500
-
500
-
500
ns
RESET High Time Before Read
t
RH
50
-
50
-
50
-
ns
RY/BY Recovery Time
t
RB
0
-
0
-
0
-
ns
RESET High to Address Valid
t
RSTW
200
-
200
-
200
-
ns
RESET Low Set-up Time
t
RSTS
500
-
500
-
500
-
ns
RESET
t
RP
Power-up and RESET Timing Diagram
CE or OE
RY/BY
t
READY
t
RB
RESET
CE or OE
RY/BY
t
RH
t
READY
t
RP
Reset Timings NOT during Internal Routine
Reset Timings during Internal Routine
High
RESET
t
AA
Vcc
Address
DATA
t
RSTS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8D6316UBM-YI08 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YI09 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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| K9E2G08U0M-V | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8D6316UBM-YI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YI09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DC07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DC08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DC09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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