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參數(shù)資料
| 型號： | K8D6316UBM-YI09 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 6400位（800萬x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 30/48頁 |
| 文件大小： | 767K |
| 代理商： | K8D6316UBM-YI09 |
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NOR FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.6
September, 2006
30
Figure 13. Temporary Block Group Unprotect Routine
Start
RESET=V
ID
(Note 1)
Notes :
1. All protected block groups are unprotected.
( If WP/ACC = V
IL
, the two outermost boot blocks remain protected )
2. All previously protected block groups are protected once again.
Perform Erase or
Program Operations
Temporary Block
Unprotect Completed
(Note 2)
RESET=V
IH
Start
DQ7 = Data
No
DQ5 = 1
Fail
Pass
Yes
Figure 11. Data Polling Algorithms
Figure 12. Toggle Bit Algorithms
DQ7 = Data
No
No
Yes
Read(DQ0~DQ7)
Valid Address
Read(DQ0~DQ7)
Valid Address
Start
DQ6 = Toggle
No
DQ5 = 1
Fail
Pass
No
DQ6 = Toggle
Yes
Yes
No
Read twice(DQ0~DQ7)
Valid Address
Read(DQ0~DQ7)
Valid Address
Yes
Yes
Read(DQ0~DQ7)
Valid Address
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8D6316UTM-FI09 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K9E2G08U0M | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-V | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-Y | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-F | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| K8D6316UTM-DC08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DC09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DI07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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