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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K8D6316UBM-YI09 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 6400位（800萬(wàn)x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/48頁(yè) |
| 文件大小： | 767K |
| 代理商： | K8D6316UBM-YI09 |
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NOR FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.6
September, 2006
35
Read Operations
SWITCHING WAVEFORMS
OE
Address
t
CE
t
OEH1
CE
Outputs
WE
HIGH-Z
Output Valid
t
RC
Address Stable
t
AA
t
OE
t
OH
HIGH-Z
t
DF
RY/BY
HIGH
Note :
1. Not 100% tested.
Parameter
Symbol
-7
-8
-9
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Read Cycle Time
t
RC
70
-
80
-
90
-
ns
Address Access Time
t
AA
-
70
-
80
-
90
ns
Chip Enable Access Time
t
CE
-
70
-
80
-
90
ns
Output Enable Time
t
OE
-
25
-
25
-
35
ns
CE & OE Disable Time (1)
t
DF
-
16
-
16
-
16
ns
Output Hold Time from Address, CE or OE
t
OH
0
-
0
-
0
-
ns
OE Hold Time
t
OEH1
0
-
0
-
0
-
ns
NOTE
Asynchronous mode may not support read following four sequential invalid read condition within 200ns.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8D6316UTM-FI09 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K9E2G08U0M | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-V | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-Y | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-F | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8D6316UTM-DC07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DC08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DC09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DI07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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