- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄373086 > K8D6316UBM-YI09 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K8D6316UBM-YI09 |
| 廠(chǎng)商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 6400位（800萬(wàn)x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 39/48頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 767K |
| 代理商： | K8D6316UBM-YI09 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)當(dāng)前第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)
NOR FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.6
September, 2006
39
SWITCHING WAVEFORMS
Parameter
Symbol
-7
-8
-9
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Chip Enable Access Time
t
CE
-
70
-
80
-
90
ns
CE to BYTE Switching Low or High
t
ELFL
/t
ELFH
-
5
-
5
-
5
ns
BYTE Switching Low to Output HIGH-Z
t
FLQZ
-
25
-
25
-
30
ns
BYTE Switching High to Output Active
t
FHQV
-
25
-
25
-
35
ns
OE
t
FLQZ
CE
DQ0-DQ7
BYTE
WE
BYTE Timing Diagram for Write Operation
The falling edge of the last WE signal
CE
BYTE
t
HOLD
(t
AH
)
DQ15/A-1
t
ELFL
Address Input (A-1)
t
SET
(t
AS
)
Word to Byte Timing Diagram for Read Operation
Byte to Word Timing Diagram for Read Operation
Data Output
(DQ0-DQ7)
DQ8-DQ14
Data Output
(DQ8-DQ14)
Data Output
(DQ15)
OE
t
FHQV
CE
DQ0-DQ7
BYTE
DQ15/A-1
t
ELFH
Data Output
(DQ15)
DQ8-DQ14
Address Input
(A-1)
Data Output
(DQ8-DQ14)
t
CE
t
CE
Data Output
(DQ0-DQ7)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8D6316UTM-FI09 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K9E2G08U0M | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-V | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-Y | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9E2G08U0M-F | 256M x 8 Bits NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8D6316UTM-DC07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DC08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DC09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DI07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-DI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。