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參數(shù)資料
| 型號： | K9F1208D0B-D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | TV 128C 128#22D SKT RECP |
| 中文描述： | 6400 × 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 10/45頁 |
| 文件大小： | 767K |
| 代理商： | K9F1208D0B-D |
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FLASH MEMORY
10
K9F1208U0B
K9F1208D0B
Advance
The device is arranged in four 128Mbit memory planes. Each plane contains 1,024 blocks and 528 byte page registers. This allows it
to perform simultaneous page program and block erase by selecting one page or block from each plane. The block address map is
configured so that multi-plane program/erase operations can be executed for every four sequential blocks.
Plane 0
(1024 Block)
Plane 1
(1024 Block)
Plane 2
(1024 Block)
Plane 3
(1024 Block)
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Memory Map
Block 0
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Block 1
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528byte Page Registers
Figure 3. Memory Array Map
528byte Page Registers
528byte Page Registers
528byte Page Registers
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1208D0B-Y | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B-D | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B-V | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B-Y | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 1000uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x40 mm; Packaging: Bulk |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1208D0B-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208Q0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1208Q0A-XXB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1208Q0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208Q0B-D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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