- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373086 > K9F1208D0B-D (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) TV 128C 128#22D SKT RECP PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K9F1208D0B-D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | TV 128C 128#22D SKT RECP |
| 中文描述： | 6400 × 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 24/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 767K |
| 代理商： | K9F1208D0B-D |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁當前第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁
FLASH MEMORY
24
K9F1208U0B
K9F1208D0B
Advance
On K9F1208U0B-Y,P or K9F1208U0B-V,F
CE must be held
low during tR
On K9F1208U0B-Y,P or K9F1208U0B-V,F
CE must be held
low during tR
Read1 Operation
(Intercepted by CE)
CE
CLE
R/B
I/O
X
WE
ALE
RE
Busy
≈
00h or 01h
A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
24
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Page(Row)
Address
Address
Column
t
WB
t
AR
t
CHZ
t
OH
t
R
≈
t
RR
t
RC
Read2 Operation
(Read One Page)
CE
CLE
R/B
I/O
X
WE
ALE
RE
50h
A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
24
Dout
n+M
n+m
M Address
t
AR
t
R
t
WB
t
RR
A
0
~A
3
: Valid Address
A
4
~A
7
: Don
′
t
care
≈
≈
A
25
A
25
Selected
Row
Start
address M
512
16
≈
≈
≈
≈
≈
≈
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1208D0B-Y | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B-D | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B-V | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B-Y | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 1000uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x40 mm; Packaging: Bulk |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1208D0B-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208Q0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1208Q0A-XXB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1208Q0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208Q0B-D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。