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參數(shù)資料
| 型號： | K9F1208D0B-D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | TV 128C 128#22D SKT RECP |
| 中文描述： | 6400 × 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 29/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 767K |
| 代理商： | K9F1208D0B-D |
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FLASH MEMORY
29
K9F1208U0B
K9F1208D0B
Advance
Read ID Operation
CE
CLE
I/O
X
WE
ALE
RE
90h
Read ID Command
Maker Code
00h
ECh
Device
Code
t
REA
Address. 1cycle
A5h
C0h
Multi Plane Code
ID Defintition Table
90 ID : Access command = 90H
Description
1
st
Byte
2
nd
Byte
3
rd
Byte
4
th
Byte
Maker Code
Device Code
Must be don’t -cared
Supports Multi Plane Operation
Device
Device Code
K9F1208Q0B
36h
K9F1208D0B
76h
K9F1208U0B
76h
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1208D0B-Y | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B-D | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B-V | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B-Y | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 1000uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x40 mm; Packaging: Bulk |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1208D0B-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208Q0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1208Q0A-XXB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1208Q0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208Q0B-D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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