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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F1208U0B-V |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 6400 × 8位NAND閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/45頁(yè) |
| 文件大小： | 767K |
| 代理商： | K9F1208U0B-V |
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FLASH MEMORY
29
K9F1208U0B
K9F1208D0B
Advance
Read ID Operation
CE
CLE
I/O
X
WE
ALE
RE
90h
Read ID Command
Maker Code
00h
ECh
Device
Code
t
REA
Address. 1cycle
A5h
C0h
Multi Plane Code
ID Defintition Table
90 ID : Access command = 90H
Description
1
st
Byte
2
nd
Byte
3
rd
Byte
4
th
Byte
Maker Code
Device Code
Must be don’t -cared
Supports Multi Plane Operation
Device
Device Code
K9F1208Q0B
36h
K9F1208D0B
76h
K9F1208U0B
76h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1208U0B-Y | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 1000uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x40 mm; Packaging: Bulk |
| K9F1208Q0B | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208Q0B-D | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208Q0B-F | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1208U0B-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9F1208U0C-J | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9F1208U0C-JIB0000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:16M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| K9F1208U0C-JIB0T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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