參數(shù)資料
型號(hào)： K9F1208U0B
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 1000uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x40 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 6400 × 8位NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 14/45頁(yè)
文件大小： 767K
代理商： K9F1208U0B
FLASH MEMORY
14
K9F1208U0B
K9F1208D0B
Advance
AC TIMING CHARACTERISTICS FOR COMMAND / ADDRESS / DATA INPUT
NOTE
: 1. If tCS is set less than 10ns, tWP must be minimum 35ns, otherwise, tWP may be minimum 25ns.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
CLE setup Time
t
CLS
0
0
0
-
-
-
ns
CLE Hold Time
t
CLH
10
10
10
-
-
-
ns
CE setup Time
t
CS
0
0
0
-
-
-
ns
CE Hold Time
t
CH
10
10
10
-
-
-
ns
WE Pulse Width
t
WP
25
25
(1)
25
(1)
-
-
-
ns
ALE setup Time
t
ALS
0
0
0
-
-
-
ns
ALE Hold Time
t
ALH
10
10
10
-
-
-
ns
Data setup Time
t
DS
20
20
20
-
-
-
ns
Data Hold Time
t
DH
10
10
10
-
-
-
ns
Write Cycle Time
t
WC
45
45
45
-
-
-
ns
WE High Hold Time
t
WH
15
15
15
-
-
-
ns
PROGRAM / ERASE CHARACTERISTICS
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program Time
t
PROG
-
200
500
μ
s
μ
s
Dummy Busy Time for Multi Plane Program
t
DBSY
1
10
Number of Partial Program Cycles
in the Same Page
Main Array
Nop
-
-
1
cycle
Spare Array
-
-
2
cycles
Block Erase Time
t
BERS
-
2
3
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9F1208Q0B 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208Q0B-D 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208Q0B-F 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208Q0B-H 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208Q0B-P 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K9F1208U0B-D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208U0B-JIB0000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 SLC NORMAL X8 FBGA - Trays
K9F1208U0B-JIB0T00 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 SLC NORMAL X8 FBGA - Tape and Reel
K9F1208U0B-P 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
K9F1208U0B-PCB0000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 SLC NORMAL X8 TSOP1 - Trays
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