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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1216Q2M-DED |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 72/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFG1216Q2M-DED |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
72
Synchronous Mode Using Interrupt Status Register Bit Polling
When operating synchronously, /CE, /AVD, CLK, /RDY, /OE, and DQ pins on the host and OneNAND are tied together.
Host
OneNAND
RDY
OE
CLK
CE
RDY
OE
CLK
CE
AVD
AVD
DQ
DQ
Asynchronous Mode Using Interrupt Status Register Bit Polling
When configured to operate in an asynchronous mode, /CE and /AVD of the OneNAND are tied to /CE of the Host. CLK is tied to the
Host Vss (Ground). /RDY is tied to a no-connect. /OE and DQ of the OneNAND and Host are tied together.
Host
OneNAND
N.C
OE
CE
RDY
OE
CLK
CE
AVD
DQ
DQ
Vss
Technical Notes
(Continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG1G16D2M-DEB | RSM, TKF 15K 1/16W 5% 040 |
| KFG1G16D2M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16D2M-DEB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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