- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373130 > KFG1G16D2M-DID6 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY(54MHz) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KFG1G16D2M-DID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 41/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFG1G16D2M-DID6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁當前第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
41
Figure 5. Cold Reset Timings
Note: 1) Bootcode copy operation starts 400us later than POR activation.
The system power should reach Vcc after POR triggering level(typ. 1.5V) within 400us for valid boot code data.
2) 1K bytes Bootcode copy takes 70us(estimated) from sector0 and sector1/page0/block0 of NAND Flash array to BootRAM.
Host can read Bootcode in BootRAM(1K bytes) after Bootcode copy completion.
3) INT register goes ‘Low’ to ‘High’ on the condition of ‘Bootcode-copy done’ and RP rising edge.
If RP goes ‘Low’ to ‘High’ before ‘Bootcode-copy done’, INT register goes to ‘Low’ to ‘High’ as soon as ‘Bootcode-copy done’
Reset Mode
Cold Reset
At system power-up, the voltage detector in the device detects the rising edge of Vcc and releases internal power-up reset signal
which triggers bootcode loading. Bootcode loading means that the boot loader in the device copies designated sized data(1KB) from
the beginning of memory to the BootRAM.
System Power
Sleep
Bootcode copy
Idle
Bootcode - copy done
POR triggering level
3)
2)
RP
INT
OneNAND
Operation
0 (default)
1
IOBE bit
1 (default)
INTpol bit
High-Z
1)
INT bit
0 (default)
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16D2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16D2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1216U2M | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2M-DIB | FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2A-DEB5000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG1G16Q2A-DEB6000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG1G16Q2A-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GNOFLASHADE-MUXED SLC W/X1663 FBGA(10X13) - Bulk |
| KFG1G16Q2B-DEB8000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 64M x 16bit 8ns 63-Pin FBGA Tray |
| KFG1G16Q2C-AEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。