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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1G16D2M-DID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 93/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFG1G16D2M-DID6 |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
93
ORDERING INFORMATION
K F X XX 1 6 X 2 M - X X B
Samsung
OneNAND Memory
Device Type
G : Single Chip
H : Die Stack
Density
12 : 512Mb
1G : 1Gb
Operating Temperature Range
E = Extended Temp. (-30
°
C to 85
°
C)
I = Industrial Temp. (-40
°
C to 85
°
C)
Page Architecture
2 : 2KB Page
Version
1st Generation
Product Line desinator
B : Include Bad Block
D : Daisy Sample
Operating Voltage Range
Q : 1.8V(1.7 V to 1.95V)
D : 2.65V(2.4 V to 2.9V)
U : 3.3V(2.7V to 3.6V)
Package
D : FBGA(Lead Free)
Organization
x16 Organization
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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