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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1G16D2M-DID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 58/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFG1G16D2M-DID6 |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
58
Figure 19. OTP load operation flow-chart
Note 1) FBA(NAND Flash Block Address) could be omitted or any address.
OTP Load(OTP Access+Load NAND)
OTP area is separated from NAND Flash Array, so it is accessed by OTP Access command instead of FBA. The content of OTP
could be loaded with the same sequence as normal load operation after being accessed by the command. If user wants to exit from
OTP access mode, Cold, Warm, Hot or NAND Flash Core Reset operation should be done.
* DBS, DFS is for DDP
Start
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ[15]=INT
Write ’FPA, FSA’ of Flash
1)
Add: F107h DQ=FPA, FSA
OTP Load completed
Write ’Load’ Command
Add: F220h
DQ=0000h or 0013h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ[15]=INT
Write ’OTP Access’ Command
Add: F220h DQ=0075h
Write ’BSA, BSC’ of DataRAM
Add: F200h DQ=BSA, BSC
OTP Exit
Host reads data from
DataRAM
Do Cold/Warm/Hot
/NAND Flash Core Reset
Write ’DFS*, FBA’ of Flash
1)
Add: F100h DQ=DFS*’, FBA
Select DataRAM for DDP
Add: F101h DQ=DBS
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Write ’OTP Access’ Command
Add: F220h DQ=0065h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16D2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16D2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1216U2M | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2M-DIB | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2A-DEB5000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG1G16Q2A-DEB6000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG1G16Q2A-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GNOFLASHADE-MUXED SLC W/X1663 FBGA(10X13) - Bulk |
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| KFG1G16Q2C-AEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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