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參數(shù)資料
| 型號： | KFG2816D1M-DID |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | OneNAND SPECIFICATION |
| 中文描述： | OneNAND的規(guī)格 |
| 文件頁數(shù)： | 87/87頁 |
| 文件大?。?/td> | 1175K |
| 代理商： | KFG2816D1M-DID |
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OneNAND128
FLASH MEMORY
87
ORDERING INFORMATION
K F G 28 1 6 X 1 M - X X B
Samsung
OneNAND Memory
Device Type
G : Single Chip
Density
28 : 128Mb
Operating Temperature Range
E = Extended Temp. (-30
°
C to 85
°
C)
I = Industrial Temp. (-40
°
C to 85
°
C)
Page Architecture
1 : 1KB Page
Version
M : 1st Generation
Product Line desinator
B : Include Bad Block
D : Daisy Sample
Operating Voltage Range
Q : 1.8V(1.7 V to 1.95V)
D : 2.65V(2.4V to 2.9V)
U : 3.3V(2.7 V to 3.6V)
Package
D : FBGA(Lead Free)
P : TSOP(Lead Free)
Organization
x16 Organization
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG2816D1M-PEB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-PED | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-PIB | OneNAND SPECIFICATION |
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| KFG1216U2M-DEB | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG2816D1M-PEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-PED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
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| KFG2816D1M-PID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
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