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參數(shù)資料
| 型號： | KFG2816U1M-PEB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | OneNAND SPECIFICATION |
| 中文描述： | OneNAND的規(guī)格 |
| 文件頁數(shù)： | 58/87頁 |
| 文件大小： | 1175K |
| 代理商： | KFG2816U1M-PEB |
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OneNAND128
FLASH MEMORY
58
Data Protection during Power Down
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.3V. RP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at V
IL
before power-down.
Figure 24. Data Protection during Power Down
V
CC
RP
NAND Write
Protected
Idle
One NAND Reset
INT
OneNAND
Operation
typ. 1.3V
0V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG2816U1M-PED | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-PIB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-PID | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-DEB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816D1M-DED | OneNAND SPECIFICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG2816U1M-PED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-PIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-PID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2G1612M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G1612M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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