參數(shù)資料
型號(hào)： KFW1G16D2M-DID5
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁數(shù)： 51/125頁
文件大?。?/td> 1657K
代理商： KFW1G16D2M-DID5
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
51
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
This Read/Write register describes the system configuration.
F221h, default = 40C0h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R
R
RM
BRL
BL
ECC
RDY
pol
INT
pol
IOBE
RDY
Conf
Reserved(000)
BWPS
Read Mode (RM)
RM
Read Mode
0
Asynchronous read(default)
1
Synchronous read
Read Mode Information[15]
Item
Definition
Description
RM
Read Mode
Selects between asynchronous read mode and
synchronous read mode
Burst Read Latency (BRL)
BRL
Latency Cycles
000
8(N/A)
001
9(N/A)
010
10(N/A)
011
3(up to 40MHz)
100
4(default, min.)
101
5
110
6
111
7
Burst Read Latency (BRL) Information[14:12]
Item
Definition
Description
BRL
Burst Read Latency
Specifies the access latency in the burst read
transfer for the initial access
2.8.19 System Configuration 1 Register F221h (R, R/W)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFW1G16D2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16Q2M-DEB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16U2M-DEB FLASH MEMORY
KFH1G16U2M-DEB FLASH MEMORY
KFG1G16Q2M-DEB6 FLASH MEMORY(66MHz)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFW1G16D2M-DID6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16Q2M-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16Q2M-DEB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(66MHz)
KFW1G16Q2M-DED5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16Q2M-DED6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(66MHz)
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