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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFW4G16Q2M-DED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(66MHz) |
| 中文描述： | 閃存（66MHz的） |
| 文件頁數(shù)： | 103/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1632K |
| 代理商： | KFW4G16Q2M-DED6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁當(dāng)前第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6)
5.4 AC Characteristics for Synchronous Burst Read
FLASH MEMORY
103
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6)
Note
1. If OE is disabled at the same time or before CE is disabled, the output will go to high-z by t
OEZ
.
If CE is disabled at the same time or before OE is disabled, the output will go to high-z by t
CEZ
.
If CE and OE are disabled at the same time, the output will go to high-z by t
OEZ
.
2. It is the following clock of address fetch clock.
Parameter
Symbol
KFG1G16Q2M/KFH2G16Q2M
/KFW4G16Q2M
Unit
Min
Max
Clock
CLK
1
66
MHz
Clock Cycle
t
CLK
15
-
ns
Initial Access Time
t
IAA
-
70
ns
Burst Access Time Valid Clock to Output Delay
t
BA
-
11.5
ns
AVD Setup Time to CLK
t
AVDS
5
-
ns
AVD Hold Time from CLK
t
AVDH
6
-
ns
Address Setup Time to CLK
t
ACS
5
-
ns
Address Hold Time from CLK
t
ACH
6
-
ns
Data Hold Time from Next Clock Cycle
t
BDH
4
-
ns
Output Enable to Data
t
OE
-
20
ns
CE Disable to Output High Z
t
CEZ
1)
-
20
ns
OE Disable to Output High Z
t
OEZ
1)
-
15
ns
CE Setup Time to CLK
t
CES
6
-
ns
CLK High or Low Time
t
CLKH/L
t
CLK
/3
-
ns
CLK
2)
to RDY valid
t
RDYO
-
11.5
ns
CLK to RDY Setup Time
t
RDYA
-
11.5
ns
RDY Setup Time to CLK
t
RDYS
3.5
-
ns
CE low to RDY valid
t
CER
-
15
ns
See Timing Diagrams 6.1 and 6.2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFW4G16Q2M | FLASH MEMORY(66MHz) |
| KFG1G16Q2M-DEB | FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DID | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFW4G16Q2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW4G16Q2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW4G16Q2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW4G16Q2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW4G16U2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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