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參數(shù)資料
| 型號： | KFW4G16Q2M-DED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(66MHz) |
| 中文描述： | 閃存（66MHz的） |
| 文件頁數(shù)： | 8/125頁 |
| 文件大小： | 1632K |
| 代理商： | KFW4G16Q2M-DED6 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6)
FLASH MEMORY
8
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6)
OneNAND
is a monolithic integrated circuit with a NAND Flash array using a NOR Flash interface. This device includes control
logic, a NAND Flash array, and 5KB of internal BufferRAM. The BufferRAM reserves 1KB for boot code buffering (BootRAM) and 4KB
for data buffering (DataRAM), split between 2 independent buffers. It has a x16 Host Interface and a random access time speed of
~76ns.
The device operates up to a maximum host-driven clock frequency of 66MHz for synchronous reads at Vcc(or Vccq. Refer to chapter
4.2) with minimum 4-clock latency. Below 40MHz it is accessible with minimum 3-clock latency. Appropriate wait cycles are deter-
mined by programmable read latency.
OneNAND provides for multiple sector read operations by assigning the number of sectors to be read in the sector counter
register. The device includes one block-sized OTP (One Time Programmable) area that can be used to increase system security or
to provide identification capabilities.
1.6
General Overview
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFW4G16Q2M | FLASH MEMORY(66MHz) |
| KFG1G16Q2M-DEB | FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DID | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFW4G16Q2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW4G16Q2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW4G16Q2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW4G16Q2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW4G16U2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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