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參數(shù)資料
| 型號： | KM416C254DL |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(256K x 16位 CMOS 動態(tài)RAM（帶擴展數(shù)據(jù)輸出）) |
| 中文描述： | 256 × 16位分辨率的CMOS擴展數(shù)據(jù)輸出動態(tài)存儲器（256K × 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器（帶擴展數(shù)據(jù)輸出）） |
| 文件頁數(shù)： | 31/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 777K |
| 代理商： | KM416C254DL |
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KM416C254D/DL, KM416V254D/DL
CMOS DRAM
t
CRP
OPEN
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
ROW
ADDR
t
RC
t
RP
t
ASR
t
CRP
RAS - ONLY REFRESH CYCLE*
NOTE : W, OE , D
IN
= Don
′
t care
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RAS
t
RAH
D
OUT
= OPEN
t
RPC
CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE
NOTE : OE, A = Don
′
t care
WE = Don't care (4M & 16M DRAM)
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RC
t
RP
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RAS
t
RPC
t
CP
t
RPC
t
CSR
t
CHR
t
CP
t
CSR
t
CHR
t
CEZ
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ7
V
OH
-
V
OL
-
DQ8 ~ DQ15
t
WRP
t
WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
Don
′
t care
t
RP
Undefined
* In RAS-only refresh cycle of 64Mb A-dile & B-die, when CAS signal transits from Low to High, the valid data may be cut off.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416V254DL | 256K x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(256K x 16位 CMOS 動態(tài)RAM（帶擴展數(shù)據(jù)輸出）) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| KM416C256BLJ-7 | 制造商:SEC 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 256K x 16, 40 Pin, Plastic, SOJ |
| KM416C256BLT6 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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