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參數(shù)資料
| 型號： | KM416V4004B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
| 中文描述： | 4米× 16位的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出的CMOS動態(tài)RAM（4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器（帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出）） |
| 文件頁數(shù)： | 31/36頁 |
| 文件大小： | 793K |
| 代理商： | KM416V4004B |
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KM416V4004B,
KM416V4104B
CMOS DRAM
HYPER PAGE READ AND WRITE MIXED CYCLE
RAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
COLUMN
ADDRESS
ROW
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t
RASP
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V
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V
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DQ0 ~ DQ7
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COLUMN
ADDRESS
COL.
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t
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AA
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DS
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DH
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CAC
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OEA
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CP
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HPC
t
HPC
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CAS
t
CAS
t
CAS
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CAS
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CP
V
I/OH
-
V
I/OL
-
DQ8 ~ DQ15
t
WEZ
VALID
DATA-OUT
t
REZ
t
AA
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DATA-OUT
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
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V
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V
IH
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IL
-
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CP
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CP
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CAC
)
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t
CPA
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WRITE
READ(
t
AA
)
t
RAD
t
RHCP
t
RAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416V4004C | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
| KM416V4100B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM41V4000D | RES,Film,0.33Ohms,250WV,200ppm-TC,4112-Case RoHS Compliant: Yes |
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| KM4211 | Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| KM416V4100C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V4104B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM416V4104C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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