參數(shù)資料
型號(hào)： KM416V4104C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述： 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出
文件頁(yè)數(shù)： 23/36頁(yè)
文件大?。?/td> 808K
代理商： KM416V4104C
KM416V4004C,KM416V4104C
CMOS DRAM
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RAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM416V4104CS-45 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM41C16000C 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
KM41V16000C 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
KM41C4000D 4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
KM4200IC8 Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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KM4170IT5TR3 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Tiny RRIO Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
KM418RD16AC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
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