參數(shù)資料
型號(hào)： KM416V4104C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述： 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出
文件頁(yè)數(shù)： 7/36頁(yè)
文件大?。?/td> 808K
代理商： KM416V4104C
KM416V4004C,KM416V4104C
CMOS DRAM
TEST MODE CYCLE
Parameter
Symbol
-45
-5
-6
Units
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Random read or write cycle time
t
RC
79
89
109
ns
Read-modify-write cycle time
t
RWC
110
121
145
ns
Access time from RAS
t
RAC
50
55
65
ns
3,4,10,12
Access time from CAS
t
CAC
17
18
20
ns
3,4,5,12
Access time from column address
t
AA
28
30
35
ns
3,10,12
RAS pulse width
t
RAS
50
10K
55
10K
65
10K
ns
CAS pulse width
t
CAS
12
10K
13
10K
15
10K
ns
RAS hold time
t
RSH
18
18
20
ns
CAS hold time
t
CSH
39
43
50
ns
Column Address to RAS lead time
t
RAL
28
30
35
ns
CAS to W delay time
t
CWD
29
35
39
ns
7
RAS to W delay time
t
RWD
62
72
84
ns
7
Column Address to W delay time
t
AWD
40
47
54
ns
7
Hyper Page cycle time
t
HPC
22
25
30
ns
21
Hyper Page read-modify-write cycle time
t
HPRWC
52
53
61
ns
21
RAS pulse width (Hyper page cycle)
t
RASP
50
200K
55
200K
65
200K
ns
Access time from CAS precharge
t
CPA
29
33
40
ns
3
OE access time
t
OEA
17
18
20
ns
3
OE to data delay
t
OED
13
18
20
ns
OE command hold time
t
OEH
13
18
20
ns
( Note 11 )
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM416V4104CS-45 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM41C16000C 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
KM41V16000C 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
KM41C4000D 4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
KM4200IC8 Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KM416V4104CS-45 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM4170 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers
KM4170IS5TR3 功能描述:高速運(yùn)算放大器 Tiny RRIO Amplifier RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
KM4170IT5TR3 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Tiny RRIO Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
KM418RD16AC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
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