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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM416V4104C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 9/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 808K |
| 代理商： | KM416V4104C |
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KM416V4004C,KM416V4104C
CMOS DRAM
t
CWL
is specified from W falling edge to the earlier CAS rising edge.
t
CSR
is referenced to earlier CAS falling before RAS transition low.
t
CHR
is referenced to the later CAS rising high after RAS transition low.
t
DS
is specified for the earlier CAS falling edge and
t
DH
is specified by the later CAS falling edge in early write cycle.
If RAS goes high before CAS high going, the open circuit condition of the output is achieved by CAS high going.
t
ASC
≥
6ns, Assume t
T
=2.0ns, if t
ASC
≤
6ns, then t
HPC
(min) and t
CAS
(min) must be increased by the value of "6ns-t
ASC
".
If
t
RASS
≥
100us, then RAS precharge time must use
t
RPS
instead of
t
RP
.
For RAS-only-Refresh and Burst CAS-before-RAS refresh mode, 4096 cycles(4K/8K) of burst refresh must be executed within
64ms before and after self refresh, in order to meet refresh specification.
For distributed CAS-before-RAS with 15.6us interval, CBR refresh should be executed with in 15.6us immediately before and
after self refresh in order to meet refresh specification.
t
CSR
t
CHR
RAS
LCAS
UCAS
t
DS
t
DH
LCAS
UCAS
DQ0 ~ DQ15
Din
22.
21.
20.
19.
18.
17.
16.
23.
24.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416V4104CS-45 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM41C16000C | 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM41V16000C | 16M x1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM41C4000D | 4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 1位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM4200IC8 | Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416V4104CS-45 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM4170 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
| KM4170IS5TR3 | 功能描述:高速運(yùn)算放大器 Tiny RRIO Amplifier RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| KM4170IT5TR3 | 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Tiny RRIO Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel |
| KM418RD16AC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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