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參數(shù)資料
| 型號： | KM418RD16D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2.49 K OHM 1% 1/4 W AXIAL LEADED MF RES |
| 中文描述： | 128/144Mbit RDRAM的256 × 16/18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁數(shù)： | 54/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 4052K |
| 代理商： | KM418RD16D |
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Page 51
KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
Direct RDRAM
Rev. 1.01 Oct. 1999
The SCK clock is also used for sampling data on RSL inputs
in one situation. Figure 48 shows the PDN and NAP exit
sequences. If the PSX field of the INIT register is one (see
Figure 27), then the PDN and NAP exit sequences are broad-
cast; i.e. all RDRAMs that are in PDN or NAP will perform
the exit sequence. If the PSX field of the INIT register is
zero, then the PDN and NAP exit sequences are directed; i.e.
only one RDRAM that is in PDN or NAP will perform the
exit sequence.
The address of that RDRAM is specified on the DQA[5:0]
bus in the set/hold window t
S3
/t
H3
around the rising edge of
SCK. This is shown in Figure 57. The SCK timing point is
measured at the 50% level, and the DQA[5:0] bus signals are
measured at the V
REF
level.
Figure 57: CMOS Timing - Device Address for NAP or PDN Exit
V
IH,CMOS
50%
V
IL,CMOS
80%
20%
SCK
V
DIH
V
REF
V
DIL
80%
20%
DQA[5:0]
t
S3
t
H3
PDEV
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM418RD2AC | 24.9K 1% 1/4W -200 TO +500 PPM/C MF |
| KM416RD4AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD4AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416S1020C | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(512K x 16位 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| KM416S1021C | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interfacer(512K x 16位 x 2組同步動態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM418RD2AC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD2AD | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD2C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD2D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD32AC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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