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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM418RD16D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2.49 K OHM 1% 1/4 W AXIAL LEADED MF RES |
| 中文描述： | 128/144Mbit RDRAM的256 × 16/18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁數(shù)： | 58/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 4052K |
| 代理商： | KM418RD16D |
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Page 55
KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
Direct RDRAM
Rev. 1.01 Oct. 1999
Absolute Maximum Ratings
I
DD
- Supply Current Profile
Table 23: Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
V
I,ABS
Voltage applied to any RSL or CMOS pin with respect to Gnd
- 0.3
V
DD
+0.3
V
V
DD,ABS
, V
DDA,ABS
Voltage on VDD and VDDA with respect to Gnd
- 0.5
V
DD
+1.0
V
T
STORE
Storage temperature
- 50
100
°
C
Table 24: Supply Current Profile
I
DD
value
RDRAM blocks consuming power
a
Max
-45
-800
Max
-45
-711
Max
-53.3
-600
Unit
I
DD,PDN
Self-refresh only for INIT.LSR=0
3000
3000
3000
μ
A
I
DD,NAP
T/RCLK-Nap
4
4
4
mA
I
DD,STBY
T/RCLK, ROW-demux
105
100
90
mA
I
DD,ATTN
T/RCLK, ROW-demux, COL-demux
165
155
140
mA
I
DD,ATTN-W
T/RCLK, ROW-demux,COL-demux,DQ-demux,1
WR-SenseAmp,
4
ACT-Bank
575/625
b
525/580
455/500
mA
I
DD,ATTN-R
T/RCLK, ROW-demux,COL-demux,DQ-mux,1
RD-SenseAmp,
4
ACT-Bank
c
490/520
450/480
400/420
mA
a. The CMOS interface consumes power in all power states.
b. x16/x18 RDRAM data width
c. This does not include the IOL sink current. The RDRAM dissipates IOL
VOL in each output driver when a logic one is driven.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM418RD2AC | 24.9K 1% 1/4W -200 TO +500 PPM/C MF |
| KM416RD4AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD4AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416S1020C | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(512K x 16位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM416S1021C | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interfacer(512K x 16位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM418RD2AC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD2AD | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD2C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD2D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD32AC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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