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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM418RD16D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2.49 K OHM 1% 1/4 W AXIAL LEADED MF RES |
| 中文描述： | 128/144Mbit RDRAM的256 × 16/18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 59/64頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 4052K |
| 代理商： | KM418RD16D |
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KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
Direct RDRAM
Rev. 1.01 Oct. 1999
Capacitance and Inductance
Figure 60 shows the equivalent load circuit of the RSL and
CMOS pins. The circuit models the load that the device
presents to the Channel.
Figure 60: Equivalent Load Circuit for RSL Pins
Gnd Pin
CTM,CTMN,
CFM,CFMN Pin
Pad
L
I
R
I
C
I
Gnd Pin
SCK,CMD Pin
Pad
L
I,CMOS
C
I,CMOS
Gnd Pin
SIO0,SIO1 Pin
Pad
L
I,CMOS
C
I,CMOS,SIO
Gnd Pin
DQA,DQB,RQ Pin
Pad
L
I
R
I
C
I
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM418RD2AC | 24.9K 1% 1/4W -200 TO +500 PPM/C MF |
| KM416RD4AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416RD4AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM416S1020C | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(512K x 16位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM416S1021C | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interfacer(512K x 16位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM418RD2AC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD2AD | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD2C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD2D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD32AC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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