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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM432D5131 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x 32Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous Graphic RAM with Bi-directional Data Strobe(128K x 32位 x 4 組雙速率同步圖形RAM帶雙向數(shù)據(jù)選通) |
| 中文描述： | 128K的x 32Bit的× 4銀行雙數(shù)據(jù)速率同步圖形RAM的雙向數(shù)據(jù)選通（128K的× 32位× 4組雙速率同步圖形RAM的帶雙向數(shù)據(jù)選通） |
| 文件頁數(shù)： | 9/47頁 |
| 文件大小： | 912K |
| 代理商： | KM432D5131 |
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Target
16M DDR SGRAM
- 10 -
KM432D5131
Rev. 0.6 (Apr. 1998)
t
BPL
t
CDLW=0
Note 2
1. t
CCD
: CAS to CAS delay. (=1 tCK)
2. t
CDLW
: Last data in to new column address delay. (=0 tCK)
3. t
BWC
: Block write minimum cycle time. (=1 tCK)
t
CDLW=0
Note 2
t
BWC
Note 3
2) Write interrupted by Block Write (BL=2)
0
3) Block Write to Block Write
CK, CK
CMD
ADD
CK, CK
CMD
ADD
DQ
*Note :
1) Block Write
4) Byte Masking for Block Write
CK, CK
CMD
DMi
DQ
CK, CK
CMD
t
BPL
BW
PRE
WR
WR
WR
BW
t
CCD Note1
t
CCD Note1
A
B
C
D
BW
BW
A
B
SMRS
1BW
WRITE
1BW
Byte Masking
for Block Write
Byte Masking
for Normal Write
PRE
Color
2
0
1
5
3
4
8
6
7
2
1
5
3
4
8
6
7
2
0
1
5
3
4
8
6
7
2
0
1
5
3
4
8
6
7
DQS
Din 0
Din 1
Din A
0
Din A
1
Din B
0
Din B
1
Din C
0
Din C
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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