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參數(shù)資料
| 型號： | KM616U2000 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x16 Bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM(128K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128K的x16位低功耗和低電壓的CMOS全靜態(tài)RAM（128K的× 16位低功耗低電壓的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 114K |
| 代理商： | KM616U2000 |
CMOS SRAM
Preliminary
KM616U2000 Family
Revision 0.1
December 1997
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS
Data Undefined
UB, LB
WE
Data in
Data out
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS Controlled)
Address
CS
Data Valid
UB, LB
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
t
WC
t
CW(2)
t
WR(4)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
AS(3)
t
DH
t
DW
t
WHZ
t
OW
t
WC
t
CW(2)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
DH
t
DW
t
WR(4)
High-Z
High-Z
Data Valid
t
AS(3)
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PDF描述 |
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