- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373158 > KM616U2000 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 128K x16 Bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM(128K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM616U2000 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x16 Bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM(128K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128K的x16位低功耗和低電壓的CMOS全靜態(tài)RAM（128K的× 16位低功耗低電壓的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 114K |
| 代理商： | KM616U2000 |
CMOS SRAM
Preliminary
KM616U2000 Family
Revision 0.1
December 1997
44 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE II (400F)
Unit : millimeter(inch)
0
#1
0
#22
#44
#23
0.35
±
0.10
0.014
±
0.004
0.80
0.0315
M
1.20MAX.
18.41
±
0.10
0.725
±
0.004
0.741
11.76
±
0.20
0.463
±
0.008
+- 0.05
+ 0.004
- 0.002
0.15
0.006
1
0
0.10
0.004
PACKAGE DIMENSIONS
0~8
°
0.45 ~0.75
0.018 ~ 0.030
( 0.010
(0.020
( 0.032
MAX
1.00
±
0.10
0.039
±
0.004
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM616U4000BZ | 256K x 16 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(256K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
| KM616V4000BZ | 256K x 16 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(256K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
| KM616U4000B | 256K x 16 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(256K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
| KM616V4000B | 256K x 16 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(256K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
| KM616U4000C | 256K x 16 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(256K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM616V1000BLTI-7L | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KM616V1002AT-12 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:Static RAM, 64Kx16, 44 Pin, Plastic, TSOP 制造商:SEC 功能描述:Static RAM, 64Kx16, 44 Pin, Plastic, TSOP |
| KM616V1002AT-15 | 制造商:SEC 功能描述:Static RAM, 64Kx16, 44 Pin, Plastic, TSOP |
| KM616V1002BT-10 | 制造商:SEC 功能描述: |
| KM616V4002BT15 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:* |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。