參數(shù)資料
型號(hào): KMM466F213CS2
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 2M x 64 DRAM SODIMM(2M x 64 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
中文描述: 200萬× 64內(nèi)存的SODIMM(2米× 64動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊)
文件頁(yè)數(shù): 18/20頁(yè)
文件大?。?/td> 400K
代理商: KMM466F213CS2
DRAM MODULE
KMM466F203CS2-L
KMM466F213CS2-L
CAS-BEFORE-RAS REFRESH COUNTER TEST CYCLE
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
COLUMN
ADDRESS
t
RAS
t
RSH
t
CHR
t
RAL
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CSR
t
CPT
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RP
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CAS
t
ASC
t
CAH
READ CYCLE
V
OH
-
V
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-
DATA-OUT
DQ
t
REZ
t
CLZ
WRITE CYCLE
V
IH
-
V
IL
-
DATA-IN
DQ
t
DH
t
DS
W
V
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-
V
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-
t
WP
t
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RWL
READ-MODIFY-WRITE
t
AWD
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IH
-
V
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-
OE
t
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t
DS
t
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VALID
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V
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-
V
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IH
-
V
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-
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V
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-
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t
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WRP
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-
V
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-
W
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t
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t
CWL
V
IH
-
V
IL
-
W
t
WP
t
RWL
t
WRP
t
WRH
VALID
DATA-IN
NOTE : This timing diagram is applied to all devices besides 64M DRAM based modules.
t
CEZ
t
WEZ
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PDF描述
KMM466F203CS2 2M x 64 DRAM SODIMM(2M x 64 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
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