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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM466S924T |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8Mx64 SDRAM SODIMM(8M x 64 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 8Mx64 SDRAM內(nèi)存的SODIMM（8米× 64動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/12頁(yè) |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | KMM466S924T |
144pin SDRAM SODIMM
KMM466S924T
REV. 1 April '98
Preliminary
PACKAGE DIMENSIONS
2.66
(67.60)
2.50
(63.60)
Units : Inches (Millimeters)
0.03TYP
(0.80TYP)
0.024
±
0.001
(0.60
±
0.05)
0.01Max
(0.25 Max)
2-R 0.078Min
(2.00Min)
0.18
(4.60)
0.083
(2.10)
0.91
(23.20)
1.29
(32.80)
0
(
0.13
(3.30)
0
(
0
(
Detail Y
Detail Z
0.16
±
0.0039
(4.00
±
0.10)
0.06
±
0.0039
(1.50
±
0.1)
Tolerances :
±
.005(.13) unless otherwise specified
The used device is 8Mx16 SDRAM, TSOP
SDRAM Part No. : KM416S8030T
2-
φ
0.07
(1.80)
1
(
0.16
±
0.039
(4.00
±
0.10)
0.10
(2.50)
Z
Y
0.15
(3.70)
0.150 Max
(3.81 Max)
0
0.04
±
0.0039
(1.00
±
0.10)
0
(
(
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM53216000CK | 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216000BKG | 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216000CKG | 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004BK | 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| KMM53216004BV | 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM47 | 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| KMM471M200HCNDB | 制造商:United Chemi-Con 功能描述:SN200X147 UCC N12J2C |
| KMM471M200HCNTB | 制造商:United Chemi-Con 功能描述:SN200X147 UCC S6A2A |
| KMM471M200JBNTB | 制造商:United Chemi-Con 功能描述:SN200X147 UCC S11F2B |
| KMM48 | 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
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