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參數(shù)資料
| 型號： | KMM53216000BKG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 1,600 × 32的DRAM上海藥物研究所利用16Mx4，4K的刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 10/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 397K |
| 代理商： | KMM53216000BKG |
DRAM MODULE
KMM53216000CK/CKG
t
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WRITE CYCLE ( OE CONTROLLED WRITE )
NOTE : D
OUT
= OPEN
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DS
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DH
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OEH
Undefined
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KMM53216004BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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