參數(shù)資料
型號(hào)： KMM53216000BKG
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
中文描述： 1,600 × 32的DRAM上海藥物研究所利用16Mx4，4K的刷新，5V的
文件頁(yè)數(shù)： 17/20頁(yè)
文件大小： 397K
代理商： KMM53216000BKG
DRAM MODULE
KMM53216000CK/CKG
RAS
V
IH
-
V
IL
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CAS
V
IH
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V
IL
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A
V
IH
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V
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W
V
IH
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OE
V
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V
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DQ
HIDDEN REFRESH CYCLE ( WRITE )
COLUMN
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ROW
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DS
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM53216000CKG 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
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KMM53216004BV 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
KMM53216004CK 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM53216004BKG 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KMM53216000CK 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM53216000CKG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
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